Детальная информация: Изобретение № 33135

  • Статус Досрочно прекращен из-за неоплаты
  • (11) № охранного документа 33135
  • (13) Патент на изобретение
  • (21) Номер заявки 2017/0190.1
  • (22) Дата подачи заявки 16.03.2017
  • (51) МПК C25D 9/04 (2006.01), B82B 3/00
  • (57) Реферат Изобретение относится к области нанесения электролитических покрытий и электролитического осаждения нанокристаллических пленок полупроводниковых соединений, чувствительных к видимому свету, которые могут быть использованы для оптических элементов и изготовления фотоэлектрических преобразователей (ФЭП). Задачей предлагаемого изобретения является улучшение стехиометрического и фазового состава, достижение лучшей морфологии поверхности, уменьшение размера частиц, увеличение ширины запрещенной зоны и увеличение фототока тонкой пленки соединения CdSe, обладающей полупроводниковыми свойствами, путем ее электроосаждения из водного сернокислого раствора, содержащего соли кадмия и селена на проводящее стекло (FТО/ стекло) и использования электролита с добавкой поверхностно-активного вещества лигносульфаната натрия. Поставленная техническая задача достигается способом электроосаждения тонкой пленки CdSe на (FТО/ стекло) из сернокислого электролита, содержащего ионы кадмия и селена в соотношении 45:1 и добавки лигносульфаната натрия в концентрации 9г/л. (рН=2). Элементный состав осадка определяют с помощью энергодисперсионного анализа, используя рентгеновскую приставку к электронному микроскопу, фазовый состав осадка определяют методом рентгено-фазового анализа (РФА), морфологию поверхности определяют с помощью атомно-силовой микроскопии, ширина запрещенной зоны рассчитывается на основе спектров пропускания, полученных с помощью спектрофотометра СФ-256 UV. Фототок определяют методом фотоэлектрохимии (РЕС) в растворе Na2 SO3. Техническим результатом является получение методом электроосаждения фотоанодов CdSe/FTO/стекло, отвечающих элементному и фазовому составу CdSe, имеющих микростуктурную поверхность и увеличенную ширину запрещенной зоны, равную 2,0эВ, и обладающих улучшенными фотоэлектрохимическими свойствами.
  • (54) Название Способ электроосаждения тонких пленок CdSe, обладающих высокой фоточувствительностью
  • (73) Патентообладатель Акционерное общество «Институт топлива, катализа и электрохимии им. Д.В. Сокольского» (KZ)
  • (72) Автор(-ы) Дергачева Маргарита Борисовна Dergacheva Margarita Borisovna(KZ); Уразов Кажмухан Аманкелдиевич Urazov Kazhmukhan Amankeldievich(KZ); Хусурова Гулинур Марсовна Khussurova Gulinur Marsovna(KZ); Пузикова Дарья Сергеевна Puzikova Dariya Sergeyevna (KZ)
  • (45) Номер и дата бюллетеня № 37 - 08.10.2018
  • Дата прекращения 17.03.2020